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FAIRCHILD FQPF44N08 80V N-Channel MOSFET 数据手册
FQPF44N08 N-Channel MOSFET 是一种由Fairchild生产的增强型功率场效应晶体管,具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。适用于汽车、高效率DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF3P20 数据手册
FQPF3P20是飞利浦的一种P通道MOSFET器件,其最大电压为-200V,最大电流为-2.2A,开关特性优异,门控电荷为6.0nC,RDS(ON)为2.06Ω。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF3N90 数据手册(1)
FQPF3N90是Fairchild Semiconductor International生产的一款900V N通道MOSFET,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力,适用于高效率开关电源。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQP3N80C/FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册
FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,采用DMOS技术,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力,适用于高效率开关电源。...
2025-10-18
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NEC N938 用户手册
NEC N938 手机使用手册,介绍了手机的使用方法、注意事项以及安全守则等内容。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQP3N80C/FQPF3N80C 数据手册
FQP3N80C/FQPF3N80C是一款800V N沟道MOSFET功率场效应晶体管,采用Fairchild的专有DMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点,适用于高效开关电源。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF3N80 数据手册
FQPF3N80是Fairchild公司生产的800V N沟道MOSFET,其特点是1.8A、800V、RDS(on) = 5.0Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷(典型值为15 nC)、低Crss(典型值为7.0 pF)、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF3N60 数据手册
这是一款来自Fairchild的600V N通道MOSFET,具有2.0A的最大电流,其RDS(on)仅为3.6Ω,低栅极电荷,低Crss,快速开关,100%的雪崩测试,并且具有改进的dv/dt能力。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQP3N50C/FQPF3N50C 500V N-Channel MOSFET数据手册
FQP3N50C/FQPF3N50C 500V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管。它具有低门极电荷(典型值为10 nC)、低Crss(典型值为8.5 pF)、快速开关和100%雪崩测试等特点。该器件适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF3N40 数据手册
本文档为鼎好电子的QFET产品资料,主要介绍了QFET的相关技术信息,包括产品功能、技术特点、应用领域等。...
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FAIRCHILD FQPF3N40 数据手册
鼎好电子为您提供现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯,精彩尽在鼎好!...
2025-10-18
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FAIRCHILD 数据手册
精彩尽在鼎好! QFET QFET QFET QFET是鼎好自有品牌,在产品研发、生产、品控、销售等方面都有着丰富的经验和积累,为广大客户提供优质的产品和服务。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF3N25 250V N-Channel MOSFET 数据手册
FQPF3N25是Fairchild生产的一种N通道增强型功率场效晶体管,采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力,适用于高效率开关DC/DC转换器和开关电源。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF3N25 250V N-Channel MOSFET 数据手册
FQPF3N25是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力,非常适用于高效开关DC/DC转换器和开关电源。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF34N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册(1)(1)
该文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQPF34N20L型200V逻辑N沟道MOSFET产品的特点。它采用了先进的DMOS技术,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击能力。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制等领域。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF34N20 数据手册
该文件介绍了鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。其中包括QFET产品的特点和特性。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF33N10L 数据手册
本文件为 FQPF33N10L 的数据手册,介绍了该产品的特点特性,包括额定工作电压、工作电流、开关速度、开关损耗、散热功率、击穿电压、击穿能量、峰值二极管恢复dv/dt 等。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQP32N12V2/FQPF32N12V2 数据手册
本文件是FQP32N12V2/FQPF32N12V2 N-Channel MOSFET的技术资料,介绍了该器件的特性、特点,包括RDS(on)、Crss、dv/dt等。...
2025-10-18
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FAIRCHILD FQPF30N06L 数据手册
这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQPF30N06L型号60V逻辑N沟道MOSFET。该器件采用先进的DMOS技术,具有低导通电阻、优异的开关性能以及高能量脉冲下的耐受能力。适用于汽车、DC/DC转换器和便携式电池产品中的低电压应用。...
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FUTEK LAU300 数据手册
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