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ASI HF220-50 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

HF220-50是一款NPN硅射频功率晶体管，具有高线性性，适用于高线性性类AB HF功率放大器应用，最大工作频率为30 MHz。...

2025-10-25 0 18.08KB 1页
ASI HF250-50 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表格主要介绍了ASI HF250-50的特性、最大额定值、封装、外形尺寸等信息。...

2025-10-25 0 17.98KB 1页
ASI MLN1027S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表格为ASI MLN1027S的规格表，主要包括最大电流、最大电压、最大功率、最小功率、最小电流等信息。...

2025-10-25 0 11.72KB 1页
ASI MLN1027SL NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表列出了ASI MLN1027SL的特性，包括BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、COB、PG等。...

2025-10-25 0 12.34KB 1页
ASI MLN1027SS NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

这是 Advanced Semiconductor Inc. 的 MLN1027SS 数据表。该产品是一款 NPN 硅 RF 功率晶体管，具有 35 V 的最大 VCE 和 10 A 的最大 IC。...

2025-10-25 0 12.02KB 1页
ASI MLN1030F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

这是一款来自ASI的MLN1030F型号的NPN硅射频功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统、500mA的最大电流、20V的最大集电极-发射极电压、20OC/W的热阻系数...

2025-10-25 0 12.69KB 1页
ASI MLN1030S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表提供了MLN1030S的特性参数，包括最大电流、最大电压、最大功率等。...

2025-10-25 0 13.2KB 1页
ASI HF220-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF220-28 是一款硅 RF 功率晶体，具有 12 dB 的 PG 和 -30 dBc 的 IMD3。...

2025-10-25 0 23.62KB 2页
ASI HF125-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

HF125-28是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是PG = 15 dB min. at 100 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 100 W(PEP)...

2025-10-25 0 17.92KB 1页
ASI HF100-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF100-28是一种用于SSB通信的A类硅NPN平面晶体管，具有高线性功率输出和低互调失真。...

2025-10-25 0 71.89KB 2页
ASI HF75-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

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2025-10-25 0 17.07KB 1页
ASI HF30-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF30-28S是NPN硅射频功率晶体管，其特点是PG=20dB min. at 30W/30MHz，IMD3=-30dBc max. at 30W(PEP)。...

2025-10-25 0 17.26KB 1页
ASI HF15-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF15-28S是Advanced Semiconductor, Inc. 生产的一款NPN硅RF功率晶体管，该产品具有Omnigold™金属化系统的特点，最大电流为4.0 A，最大集电极-发射极反向电压为65 V，最大发射极-基极反向电压为35 V，最大发射极-基极电压为4.0 V，最大功耗为40 W。...

2025-10-25 0 16.86KB 1页
ASI HF15-28F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF15-28F是一种NPN硅RF功率晶体管，具有21 dB的最小PG和-30 dBc的最大IMD3。它具有Omnigold™金属化系统，最大额定值为4.0 A，65 V，35 V和4.0 V。...

2025-10-25 0 17.53KB 1页
ASI HF10-12S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF10-12S是NPN硅RF功率晶体管，具有以下特点：PG = 20 dB min. at 10 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 10 W(PEP)，Omnigold™金属化系统...

2025-10-25 0 17.15KB 1页
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF20-12S 数据手册

该文件介绍了ASI HF20-12S型号的特点和特性，具有18 dB最小的功率增益，20 W/30 MHz时的最大-30 dBc IMD3，以及Omnigold™金属化系统。...

2025-10-25 0 17.1KB 1页
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12F 数据手册

HF50-12F是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是PG = 16 dB min. at 50 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 30 W(PEP)，并采用了Omnigold™金属化系统...

2025-10-25 0 17.68KB 1页
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12S 数据手册

该文档介绍了ASI HF50-12S型号的NPN硅射频功率晶体管的特点和特性，包括最大额定电流、最大额定电压、最大额定功耗等。...

2025-10-25 0 17.1KB 1页
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF100-12 数据手册

ASI HF100-12是一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是： * PG=12 dB min. at 100 W/30 MHz。 * IMD3=-30 dBc max. at 100 W(PEP)。 * Omnigold™ Metalization System。...

2025-10-25 0 16.61KB 1页
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28F 数据手册

ASI HF8-28F 是一款 NPN 硅射频功率晶体管，其特点是： PG 为 21 dB 最小，在 8 W/30 MHz，IMD3 为 -30 dBc 最大，在 8 W(PEP) 时。...

2025-10-25 0 17.74KB 1页

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