赞助金币限时优惠

登录 | 注册

全部分类

文档大全

类型:

不限

MAXIM Evaluates:MAX3667 数据手册

MAX3667 评估板是预装、表面安装演示板，可轻松评估 MAX3667 光学特性。...

2025-10-24 0 116.19KB 8页
601963-重庆银行：2025年第三季度报告

...

2025-10-24 0 225.34KB 22页
MAXIM MAX4501/MAX4502 数据手册

MAX1172模数转换器(ADC)是一种12位的单片ADC，采样速率大于30Msps。内置输入缓冲区和跟踪/保持功能确保出色的动态性能，无需外部组件。5pF的输入电容减小了开发问题。逻辑输入和输出兼容TTL。提供溢出条件的超范围输出信号。输出数据格式为直接二进制。功耗非常低，+5.0V和-5.2V的电源电压下为1.1W。MAX1172还提供了广泛的±2.0V输入电压范围。MAX1172有32引脚陶瓷侧钎焊封装和44引脚表面贴装CERQUAD封装。...

2025-10-24 0 87.01KB 13页
110081-闻泰科技：2025年第三季度报告

...

2025-10-24 0 228.41KB 16页
688707-振华新材：2025年第三季度报告

...

2025-10-24 0 178.84KB 11页
panasonic MAZ3000 Series(MA3000 Series)Silicon planar type For stabilization of power supply 技术手册

MAZ3000系列（MA3000系列）是硅平面型稳压二极管，可用于稳压电源。该系列产品具有小型封装（3针）、高密度设计、高开关速度和宽电压范围（VZ = 2.0 V至36 V）等特点。...

2025-10-24 0 108KB 7页
600179-安通控股：2025年第三季度报告

...

2025-10-24 0 180.93KB 12页
GLENAIR AS85049/5 数据手册

该文档介绍了Glenair, Inc.生产的AS85049/5 Style 1环境背壳。这些背壳适用于MIL-C-22992 C、J和R类连接器，并具有防腐蚀的特点。...

2025-10-24 0 80.54KB 3页
688127-蓝特光学：2025年第三季度报告

...

2025-10-24 0 192.26KB 13页
GLENAIR AS85049/20 数据手册

该文件介绍了Glenair公司的Crimp Ring和Banding Backshells产品。Crimp Ring Backshell是一种用于MIL-DTL-38999 Series III和IV、EN3645连接器的产品，具有电镀镍或1000小时镀镉橄榄绿色外层。文档中提供了不同尺寸的外壳和电缆入口的详细尺寸。M85049/26-2 Crimp Ring是该产品的参考型号。文档还提供了螺纹规格和直径的信息。...

2025-10-24 0 72.1KB 2页
NIFD季报：提振资产价格+盘活存量资产，修复微观主体资产负债表——2025年三季度宏观杠杆率

2025年三季度，宏观杠杆率上升1.9个百分点，从二季度的300.4%提高至302.3%。前三季度宏观杠杆率共上升11.6个百分点，超过2024年全年增幅（10.1个百分点）。居民部门债务增速再创历史新低，企业部门债务增速仍处历史低位，政府部门债务扩张放缓。...

2025-10-24 4 2.4MB 16页
东兴证券：基础化工行业：四中全会强调创新研发和绿色发展

党的二十届四中全会于2025年10月20日至23日举行，审议通过了《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议》，会议公报于10月23日发布。我们认为，对于化工行业，科技创新和绿色发展是未来发展的长期目标。科技创新是化工行业长期发展的趋势。会议公报强调，“加快高水平科技自立自强，全面增强自主创新能力，抢占科技发展制高点，不断催生新质生产力”。我们认为，以化工新材料为代表的重研发创新产品将具备长期发展潜力。目前，5G、新型显示、生物医疗、自动控制等终端应用逐步进入规模化发展，催生了...

2025-10-24 0 546.25KB 4页
GLENAIR AS85049/10 MS3437A 数据手册

该文件介绍了EMI/RFI环境保护背壳的规格和特性。...

2025-10-24 0 103.86KB 5页
ST M58BW016BT,M58BW016BB M58BW016DT,M58BW016DB 16 Mbit(512Kb x32,Boot Block,Burst)3V Supply Flash Memories 数据手册

本文件是M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories的特性摘要...

2025-10-24 0 895.86KB 63页
ST M5 4/7 4HCT 3 7 3 M5 4/7 4HC T5 33 October 1993 HCT373 NON INVERTING-HCT533 INVERTING OCTAL D-TYPE LATCH WITH 3 STATE OUTPUT 数据手册

M54/74HCT373 和 M54/74HCT533 是高速度 CMOS OCTAL LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS，采用硅门 C2MOS 技术制造。这些 IC 在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速度操作。这些 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 LE 输入保持高电平时，Q 输出将精确或反向跟随数据输入。当 LE 被拉低时，Q 输出将精确或反向地锁定在 D 输入数据的逻辑电平。当 OE 输入处于...

2025-10-24 0 269.93KB 13页
ST M28W320ECT M28W320ECB 32 Mbit(2Mb x16,Boot Block)3V Supply Flash Memory 数据手册

M28W320ECT、M28W320ECB为3V供电的32Mbit（2Mb x16、Boot块）Flash存储器。主要特点包括：供应电压为VDD = 2.7V至3.6V核心电源、VDDQ= 1.65V至3.6V的输入/输出、VPP = 12V用于快速编程（可选）、访问时间为70、85、90、100ns、编程时间为10µs（典型值）、双字编程选项、四字编程选项、公共Flash接口、参数块（顶部或底部位置）、主块、所有块在开机时都锁定、可以锁定任意组合的块、WP用于块锁定、128位用户可编程OTP单...

2025-10-24 0 832.92KB 53页
ST M29F040B 4 Mbit(512Kb x8,Uniform Block)Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F040B是一款4Mbit(512Kb x 8, Uniform Block)单供电闪存芯片，它的特点是单一5V±10%电源电压，读写操作时间快，有8个统一的64 Kbytes存储块，支持编程/擦除控制器，支持擦除暂停/恢复模式，并具有低功耗和100,000次擦写/擦除周期。...

2025-10-24 0 132.5KB 21页
ST M29F400BT M29F400BB 数据手册

M29F400BT M29F400BB是一款4Mbit的单电源闪存，可在5V±10%的电压下进行编程、擦除和读取。...

2025-10-24 0 208.64KB 22页
ST M29F032D 32 Mbit(4Mb x8,Uniform Block)5V Supply Flash Memory 数据手册

M29F032D 32 Mbit 5V Supply Flash Memory 的特点包括供电电压为 VCC = 5V ±10%，读写时间为 70 ns，编程时间为 10µs 每字节，有 64 个 64Kbyte 的存储块，支持擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、临时块解保护模式、通用闪存接口、64 位安全码、低功耗、自动待机以及 100,000 次编程/擦除周期...

2025-10-24 0 224.46KB 35页
赛迪译丛：2025年第41期（总第716期）：破解欧洲人工智能人才难题

...

2025-10-24 5 1.95MB 28页

...

27

...

确认删除?