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GENERAL SEMICONDUCTOR SMZG AND SMZJ 3789 THRU 3809B 数据手册

该数据表格列出了SMZG3789A,B,SMZJ3789A,B,WA,B型号二极管的最大电气特性。...

2025-10-25 0 45.91KB 2页
ASI MLN2027SS 数据手册

该数据表是关于ASI MLN2027SS的规格参数，包含额定值、特性、最大值、封装尺寸等信息。...

2025-10-25 0 12.05KB 1页
ASI MLN2030F 数据手册

该文件是关于ASI MLN2030F的技术规格说明，包括最大最小工作电压、功率、电流等信息。...

2025-10-25 0 12.73KB 1页
ST SMP50-xxx 数据手册

SMP50-xxx系列是一种双向防护电流限制器，适用于保护电信设备免受由交流电源线引起的雷击和瞬态干扰。其特点包括电压范围从62V到270V，低电容从15pF到30pF（在50V时），低漏电流（最大IR = 2µA），保持电流（最小IH = 150mA）和重复峰值脉冲电流（IPP = 50A）。...

2025-10-25 0 60.57KB 8页
ASI MLN2030SS 数据手册

该文档介绍了Advanced Semiconductor Inc.的MLN2030SS型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和参数。...

2025-10-25 0 12.02KB 1页
ASI OSC-0.7L 数据手册

ASI OSC-0.7L is a NPN silicon RF power transistor with a maximum power dissipation of 7.0 W and a maximum collector-emitter voltage of 40 V. It features an Omnigold™ metalization system and is available in a TO-46 package....

2025-10-25 0 12.16KB 1页
ASI OSC-1.3SH 数据手册

该文档介绍了一种NPN硅射频功率晶体管，具有低噪声、高电流和高频率特性。该晶体管适用于射频功率放大器等应用。...

2025-10-25 0 12.93KB 1页
ASI OSC-2.0SM NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

本文件是关于ASI10639的规格书，主要介绍了产品的特性、特点、参数等信息。...

2025-10-25 0 12.91KB 1页
ASI TVU0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

这是一份关于ASI TVU0.5A NPN硅射频功率晶体管的规格说明书。该晶体管具有BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、PG IMD1等特性参数，并且采用了Omnigold™ Metalization System。该晶体管适用于射频功率放大器等应用。...

2025-10-25 0 13.05KB 1页
ASI TVU0.5B NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI TVU0.5B是NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统、最大电流2.0 A、最大电压45 V、最大功率31.8 W...

2025-10-25 1 11.84KB 1页
ASI TVU002 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该文件介绍了ASI TVU002型号的特点和特性，包括最小、典型和最大值的参数，如电流、电压、功耗等。...

2025-10-25 1 13.27KB 1页
ASI MLN2033F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表提供了MLN2033F射频功率晶体管的特性、最大额定值、封装样式、订单代码等信息。...

2025-10-25 1 12.71KB 1页
Vishay SPICE Device Model Si9936BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 数据手册

该文档是一份SPICE设备模型指南，介绍了Si9936BDY型号的特点和特性。该模型适用于线性和开关应用，精确度高，在-55到125°C的温度范围内有效。模型参数经过优化，提供了最佳的拟合测量数据的结果。...

2025-10-25 1 177.83KB 3页
Vishay Si4473DY P-Channel 14-V (D-S) MOSFET 数据手册

Si4473DY是Vishay Siliconix公司生产的一款P通道MOSFET，最大工作电压为14V，典型开关损耗为0.016欧姆，最大工作温度为150℃。...

2025-10-25 1 52.74KB 4页
ASI HF150-50F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF150-50F是一款NPN硅射频功率晶体管，具有PG = 14 dB最小值，最大输出功率为150 W/30 MHz，最大互调失真为100 dBc。...

2025-10-25 1 22.16KB 2页
ASI HF150-50S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

本文件为ASI HF150-50S的datasheet，介绍了该产品的特性及参数。...

2025-10-25 1 15.89KB 1页
ASI HF220-50 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

HF220-50是一款NPN硅射频功率晶体管，具有高线性性，适用于高线性性类AB HF功率放大器应用，最大工作频率为30 MHz。...

2025-10-25 1 18.08KB 1页
ASI HF250-50 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表格主要介绍了ASI HF250-50的特性、最大额定值、封装、外形尺寸等信息。...

2025-10-25 1 17.98KB 1页
ASI MLN1027S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表格为ASI MLN1027S的规格表，主要包括最大电流、最大电压、最大功率、最小功率、最小电流等信息。...

2025-10-25 1 11.72KB 1页
ASI MLN1027SL NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表列出了ASI MLN1027SL的特性，包括BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、COB、PG等。...

2025-10-25 1 12.34KB 1页

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