首页
智库报告
策划方案
建筑施工
赞助金币
限时优惠
登录 | 注册
首页
文档
文档大全
全部分类
智库报告
建筑施工
幼儿/小学教育
中学教育
大学公开课
外国语
计算机
行业资料
人文社科
资格考试
企业管理
学术论文
生活休闲
文档大全
类型:
不限
最新上传
热门点击
热门下载
FAIRCHILD 74LCX241 数据手册
74LCX241是一种低电压八位缓冲器和线路驱动器，适用于内存地址驱动器、时钟驱动器和总线传输器或接收器。该设备适用于低电压（2.5V或3.3V）VCC应用，并具有与5V信号环境接口的能力。LCX241采用先进的CMOS技术制造，实现高速操作同时保持CMOS低功耗。...
2025-10-24
0
114.67KB
10页
ON Semiconductor 74FST3400 数据手册
ON Semiconductor 74FST3400是一种4位4端口总线交换开关。该设备在4.0至5.5伏之间工作时，与CMOS TTL兼容。该设备具有极低的RON并且几乎没有传播延迟。该设备不会对系统产生噪音或地弹跳。...
2025-10-24
0
105.36KB
9页
FAIRCHILD 74ACQ374, 74ACTQ374 数据手册
ACQ/ACTQ374是一种高速、低功耗的八位D型触发器，具有每个触发器单独的D型输入和用于总线导向应用的三态输出。它采用FACT Quiet Series技术，保证输出切换静音，并改善动态阈值性能。...
2025-10-24
0
109.13KB
11页
National Semiconductor 54AC/74AC125/74ACT125 数据手册
74AC125是美国国家半导体公司生产的四通道非反相缓冲器，具有TRI-STATE输出。该产品具有ICC降低50%、输出源-吸收24mA、TTL-兼容输出等特点。...
2025-10-24
0
139.33KB
9页
CTS 741, 742, 743, 744, 745, 746 Series 数据手册
该文件介绍了R系列741、742、743、744、745、746技术厚膜芯片电阻阵列的特点和特性，包括高密度封装、无铅表面贴装结构、低成本、焊锡涂层镍屏蔽垫、凸面或凹面终端选项等。...
2025-10-24
0
634.27KB
4页
7000 Series/High Reliability Reed Relays 数据手册
该产品是高可靠性的reed relay，具有多极的触点形式，可以用于仪器仪表、数据采集、过程控制、电信和通用目的。...
2025-10-24
0
120.59KB
4页
International IOR Rectifier MT..KB SERIES 数据手册
60MT.KB和70MT.KB系列是采用INT-A-pak封装的三相桥式整流器，具有超高功率密度，优异的散热性能和电气绝缘性能，广泛应用于各种一般用途和重载应用中。...
2025-10-24
1
96.25KB
7页
National Semiconductor 5409/DM7409 数据手册
5409是National Semiconductor Corporation生产的一种逻辑门电路，它具有4个独立的门，每个门都能执行逻辑与功能。该门的输出端是一个开漏电路，需要外接上拉电阻才能正常工作。...
2025-10-24
1
93.58KB
4页
IXYS IXTH 30N60P, IXTQ 30N60P, IXTT 30N60P, IXTV 30N60P, IXTV 30N60PS 数据手册
30N60P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为30A，导通电阻小于240mΩ。产品具有快速恢复二极管、无钳位感性开关(UIS)额定、国际标准封装、低封装电感等特点。...
2025-10-24
1
394.61KB
6页
IXYS IXTQ 69N30P, IXTT 69N30P 数据手册
IXTQ 69N30P is a N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with VDSS = 300 V, ID25 = 69 A and RDS(on) = 49 mΩ. It features international standard packages, unclamped inductive switching (UIS) rating and low package inductance....
2025-10-24
1
104.68KB
5页
IXYS IXTU 01N100, IXTY 01N100 数据手册
01N100是IXYS公司生产的一款高压MOSFET，其特点是采用国际标准封装JEDEC TO-251 AA，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构和快速开关时间。...
2025-10-24
2
62.66KB
2页
IXYS IXTN36N50 数据手册
...
2025-10-24
2
252.14KB
4页
IXYS IXTQ 110N10P IXTT 110N10P 数据手册
这是一款 N-Channel Enhancement Mode 的 MOSFET，其最大电压为 100V，最大电流为 110A，典型阻抗为 15 mΩ。...
2025-10-24
3
574.78KB
5页
IXYS IXTH / IXTM 6N90A 数据手册
该文件介绍了IXYS公司生产的TO-204 AA (IXTM)和TO-247 AD (IXTH)型号的N沟道增强模式功率MOSFET。产品具有低RDS(on)、坚固的多晶硅栅电池结构、低包装电感等特点。适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。...
2025-10-24
2
103.45KB
4页
IXYS IXTT 11P50 数据手册
该数据表提供了IXTH11P50N的规格，包括最大额定值、特性值、特性曲线、封装和引脚图等。...
2025-10-24
2
569.02KB
4页
IXYS IXTH 8P50 数据手册
该数据表提供了7P50和8P50 P通道增强型击穿型标准功率MOSFET的最大额定值、特征值、特性、应用和优势。...
2025-10-24
1
71.96KB
2页
IXYS IXTK 120N25 数据手册
这是一个关于IXTK 120N25 VDSS = 250 V ID25 = 120 A 产品的技术文档，介绍了该产品的特点特性，包括低 RDS（on）HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等。...
2025-10-24
2
83.13KB
2页
IXYS IXTK 180N15 数据手册
该数据表是关于IXTK 180N15 的技术参数，包括最大电压、最大电流、最小电阻等。...
2025-10-24
3
83.15KB
2页
IXYS IXTK 33N50 数据手册
IXTK 33N50是IXYS公司生产的一款大功率N沟道增强型MOSFET，其最大导通电流为33A，最大漏源电压为500V，开关速度快，应用于电机控制、DC斩波器、不间断电源供应(UPS)、开关电源和谐振电源等领域。...
2025-10-24
2
83.93KB
4页
IXYS IXTQ 82N25P 数据手册
IXTQ 82N25P是IXYS的一款N沟道增强型功率MOSFET，其特点是采用国际标准封装，具有无钳位感应开关(UIS)额定值，封装电感低，易于驱动和保护。...
2025-10-24
4
605.55KB
5页
←
→
确认删除?
