赞助金币限时优惠

登录 | 注册

全部分类

说明书手册

类型:

philips PBSS5230T 30 V,2 A PNP low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

该文件介绍了PBSS5230T型号的30V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、高效率、减少热量生成以及在特定应用中作为MOSFET的经济有效替代品等。...

2025-10-26 0 45.38KB 7页
philips PBSS5160T 60 V,1 A PNP low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

PBSS5160T是一款60V、1A的PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有低饱和电压和高效率等特性，适用于汽车、电信基础设施和工业等领域的功率管理和外围驱动应用。...

2025-10-26 0 97.61KB 10页
飞利浦 PBSS5160DS 数据手册

PBSS5160DS是一款60V、1A PNP低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电极电流能力、高集电极电流增益（hFE）和高效率等特点。...

2025-10-26 0 124.18KB 14页
philips PBSS5140V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册

PBSS5140V 是飞利浦推出的一款低 VCEsat PNP 晶体管，最大功耗为 300 mW，封装尺寸为 1.6 mm × 1.2 mm × 0.55 mm。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD 背光、电源线开关电路等应用场景。...

2025-10-26 0 43.5KB 8页
philips PBSS5140T 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册

PBSS5140T是飞利浦半导体推出的一种低Vcesat PNP晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力和低发热的特点。该晶体管可用于通用开关和静音、LCD背光、电源线开关电路等应用。...

2025-10-26 0 58.8KB 9页
philips PBSS5120T 20 V,1 A PNP low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

PBSS5120T是菲利普半导体公司推出的一款PNP BISS晶体管，具有超低VCEsat和RCEsat参数。该晶体管适用于电源管理、DC/DC转换、供电线切换、电池充电器、LCD背光等应用。...

2025-10-26 0 44.07KB 7页
philips PBSS4540Z NPN medium power transistor 数据手册

该文件介绍了一种NPN中功率晶体管PBSS4540Z的初步规格。该晶体管具有高电流（最大10A）、低电压（最大40V）和低VCEsat的特点。适用于重型便携设备（汽车、电信和音视频）和低电源电压集成电路应用等领域。...

2025-10-26 0 46.8KB 8页
philips PBSS4520X 20 V,5 A NPN low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

PBSS4520X是Philips Semiconductors生产的一款NPN低Vcesat (BISS)晶体管，其特点是高hFE和低Vcesat，最高电流为5A，高效率，低热量...

2025-10-26 0 98.33KB 13页
philips PBSS4480X 80 V,4 A NPN low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

PBSS4480X是一款高hFE和低VCEsat的NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有高电流能力和高效率。它适用于中功率外围驱动器、闪光灯单元、逆变器、电源开关、中功率DC-DC转换和电池充电器等应用。...

2025-10-26 0 102.31KB 13页
philips PBSS4250X 50 V,2 A NPN low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

该数据表提供了50V，2A NPN低VCEsat（BISS）晶体管PBSS4250X的特性、应用、描述、引脚、参数等信息。...

2025-10-26 0 66.31KB 9页
philips PBSS4320T 20 V low VCEsat NPN transistor 数据手册

PBSS4320T是一款20V低VCEsat NPN晶体管，具有低的集电极-发射极饱和电压VCEsat和相应的低RCEsat，高集电极电流能力，高集电极电流增益以及降低热量产生带来的改进效率等特点。...

2025-10-26 0 73KB 12页
philips PBSS4320X 20 V,3 A NPN low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

PBSS4320X是PHILIPS生产的一款低VCEsat（BISS）型号的NPN晶体管，其特点是SOT89（SC-62）封装，低饱和压降，高效率，低发热，适用于驱动功率转换器，电池充电器，LCD背光等应用...

2025-10-26 0 103.19KB 12页
philips PBSS4330X 30 V,3 A NPN low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

PBSS4330X是一款30V、3A的NPN低VCEsat (BISS)晶体管。它具有低饱和压降、高集电极电流能力、更高的效率以及减少的PCB需求。...

2025-10-26 0 92.78KB 12页
philips PBSS4350D NPN transistor 数据手册

PBSS4350D是一款NPN型晶体管，具有高电流能力和低VCEsat特性。适用于重型电池供电设备（汽车、通信和音视频）以及VCEsat关键应用。可用于各种电池驱动设备以节省电池功耗。...

2025-10-26 0 72.98KB 8页
philips PBSS4350S 50 V low VCEsat NPN transistor 数据手册

该文件是关于PBSS4350S型50V低VCEsat NPN晶体管的产品说明书。该晶体管具有高功率耗散、超低集电极-发射极饱和电压、3A连续电流和高电流开关等特点。适用于中功率开关、线性稳压器、DC/DC转换器、供电线路开关电路、电池管理应用、闪光灯单元和重型电池供电设备等应用。...

2025-10-26 0 75.34KB 8页
philips PBSS4350SA 50 V low VCEsat NPN transistor 数据手册

本文档介绍了PBSS4350SA型号的低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低饱和电压VCEsat和相关的等效电阻RCEsat、高集电极电流能力IC和ICM、高集电极电流增益hFE以及更高效率的热量生成等。该晶体管适用于低中功率DC/DC转换器、低电压调节(LDO)、MOSFET驱动器、供电线开关和电池充电器等应用。...

2025-10-26 0 73.38KB 12页
NXP Semiconductors PBSS5350SS 数据手册

PBSS5350SS是NXP公司推出的一款低压低压饱和电压双极性晶体管，额定电压为50V，集电极电流为2.7A。该产品具有高集电极电流能力、高集电极电流增益、高效率和小尺寸等特点，适用于双向低功率开关和汽车等应用。...

2025-10-26 0 89.16KB 14页
philips PBSS4240V 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册

PBSS4240V是一款低VCEsat和高电流能力的NPN晶体管，适用于电源管理和外围驱动应用。...

2025-10-26 0 69.89KB 12页
philips PBSS4240DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 数据手册

PBSS4240DPN是菲利普半导体公司生产的一款NPN/PNP低VCEsat晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高集电极电流能力、高集电极电流增益、高效率等特点，广泛应用于电源管理和外围驱动等领域。...

2025-10-26 0 105.82KB 12页
philips PBSS4230T 30 V,2 A NPN low VCEsat(BISS)transistor 数据手册

PBSS4230T是一款NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电流能力IC和ICM、高效率、降低电路板要求和成本效益高的特点。...

2025-10-26 0 44.22KB 7页

...

135

...

确认删除?