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说明书手册

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philips BF990A N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册

BF990A是一种N通道双栅MOS-FET，具有集成的反向二极管来保护免受过高输入电压的冲击。适用于RF应用，如12V供电的电视调谐器和专业通信设备。...

2025-10-26 0 65.92KB 8页
philips BF989 N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册

BF989 是 Philips 生产的 N 沟道双栅 MOS-FET，具有过度输入电压浪涌保护功能，应用于 UHF 电视调谐器和专业通信设备中。...

2025-10-26 0 61.48KB 8页
VISHAY BF988 N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode,Depletion Mode 数据手册

BF988是Vishay Telefunken生产的N通道双门MOS场效应四极管，属于耗尽模式。该器件具有高交叉调制性能、低噪声、高增益、高AGC范围、低反馈电容和低输入电容等特性。...

2025-10-26 0 140.29KB 8页
SIEMENS Silicon N Channel MOSFET Triode BF 987 数据手册

该文件介绍了BF 987 G型号的硅N沟道MOSFET三极管，适用于高频级别高达300 MHz的应用，特别适用于FM应用。它具有高过载能力。...

2025-10-26 0 82.28KB 5页
National Semiconductor ADC08131/ADC08134/ADC08138 8-Bit High-Speed Serial I/O A/D Converters with Multiplexer Options,Voltage Reference,and Track/Hold Function 数据手册

ADC08131/ADC08134/ADC08138 8位高精度模数转换器，具有串行I/O和配置输入多路复用器，带电压参考和跟踪/保持功能。...

2025-10-26 0 499.42KB 21页
VISHAY BF979 Silicon PNP Planar RF Transistor 数据手册

BF979 是 Vishay Telefunken 生产的一款硅 PNP 平面 RF 晶体管，具有高交叉调制性能、高功率增益、低噪声和高反向衰减等特点。...

2025-10-26 0 40.56KB 5页
VISHAY BF970 Silicon PNP Planar RF Transistor 数据手册

BF970是一款硅PNP平面射频晶体管，具有高增益和低噪声特性，适用于UHF振荡器和混频器级。最大电压、电流和功耗等参数已给出。...

2025-10-26 0 40.57KB 5页
VISHAY BF966S N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode,Depletion Mode 数据手册

这是一份关于BF966S的数据手册，介绍了该产品的特点特性，包括应用场景、绝对最大额定值、最大热阻、电气直流特性等...

2025-10-26 0 128.99KB 8页
VISHAY BF964S 数据手册

这是一个关于BF964S的技术资料，主要介绍了BF964S的特点特性，包括绝对最大额定值、最大热阻、电气直流特性等。...

2025-10-26 0 128.36KB 8页
VISHAY BF961 数据手册

BF961是Vishay Semiconductors公司生产的一款N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode，具有高交叉调制性能、低噪声系数、高AGC范围、低反馈电容、低输入电容等特点，应用于输入和混频电路，尤其是FM-和VHF电视机调谐器，频率范围为300MHz。...

2025-10-26 0 156.45KB 7页
National Semiconductor ADC08100 数据手册

ADC08100是一种低功耗、8位、单片模拟-数字转换器，具有片上跟踪和保持电路。该产品经过优化，具有低成本、低功耗、小尺寸和易于使用的特点，可以在20 MSPS至100 MSPS的转换速率下工作，并在其全工作范围内表现出优秀的动态性能，同时每兆赫钟频消耗只有1.3毫瓦。在100 MSPS时，功耗仅为130毫瓦。将PD引脚置高将ADC08100置于省电模式，此时仅消耗1毫瓦。该独特的架构在41 MHz输入频率下实现了7.4有效位。该器件具有卓越的直流和交流特性，以及低功耗和单一的+3V供电操作，...

2025-10-26 0 109.51KB 3页
飞利浦 BF904A;BF904AR;BF904AWR 数据手册

BF904A是菲利普斯公司生产的N沟道双栅极MOS-FET，适用于3至7伏电源电压的VHF和UHF应用，例如电视调谐器和专业通信设备。...

2025-10-26 0 118.97KB 16页
飞利浦 BF908;BF908R 数据手册

BF908和BF908R是Philips Semiconductors生产的具有高前向转移电导率和高前向转移电导率与输入电容比的短沟道双栅MOS-FET，可用于12V电源电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。...

2025-10-26 0 81.98KB 8页
飞利浦 BF908WR 数据手册

BF908WR是菲利普斯半导体生产的N沟道双栅MOS-FET，该产品具有高前向传输电导率、短沟道晶体管、高前向传输电导率与输入电容比、低噪声增益控制放大器等特点，适用于12V供电电压的VHF和UHF应用场景，如电视调谐器和专业通信设备。...

2025-10-26 0 98.6KB 7页
飞利浦 BF909;BF909R 数据手册

BF909是菲利普斯半导体生产的N沟道双栅极MOS-FET，专为使用5V电源电压而设计。它具有高前向传输功率因数、高前向传输功率因数与输入电容比以及低噪声增益受控放大器等特点。BF909适用于3至7V电源电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。...

2025-10-26 0 152.16KB 11页
飞利浦 BF909WR 数据手册

BF909WR是一款N沟道双栅MOS-FET，专为5V供电电压设计。具有高正向传输导纳与输入电容比的短通道晶体管，可在1 GHz范围内提供低噪声增益控制放大器。在自动增益控制期间具有优越的交调性能。适用于3至7V供电电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。...

2025-10-26 0 167.44KB 12页
SIEMENS BF 926 数据手册

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2025-10-26 0 33.13KB 2页
MOTOROLA Semiconductor BF959 数据手册

本文档主要介绍Motorola生产的NPN硅三极管的最大额定值、热特性、电气特性等...

2025-10-26 0 112.45KB 4页
TELEFUNKEN electro BF 960 数据手册

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2025-10-26 0 539.5KB 10页
TEXAS INSTRUMENTS ADC0808M 数据手册

ADC0808M是Texas Instruments公司生产的一款8通道单片CMOS模拟数字转换器，具有8位分辨率、100微秒转换时间、单5V供电。...

2025-10-26 0 100.34KB 8页

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