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说明书手册

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IDT IDT23S09E 数据手册

IDT23S09E是一款高性能时钟缓冲器，可在10MHz至200MHz范围内工作。它采用了内置的PLL锁相环，以确保输出时钟与输入时钟的频率和相位同步。IDT23S09E具有低抖动和低失真特性，适用于各种高速时钟分布应用。...

2025-10-25 0 54.35KB 8页
IDT IDT23S05 数据手册

该文档介绍了IDT23S05 3.3V零延迟时钟缓冲器的特点和特性，包括相位锁定环时钟分配、10MHz到133MHz的工作频率、五个输出时钟、低抖动和低延迟等。...

2025-10-25 0 60.06KB 8页
IDT IDT23S08 数据手册

IDT23S08是3.3V零延迟时钟倍频器，可实现1x,2x,4x时钟输出...

2025-10-25 0 58.83KB 10页
IDT IDT2309NZ ADVANCE INFORMATION 数据手册

该文档介绍了IDT2309NZ九输出3.3V时钟缓冲器的特点和特性。该缓冲器支持两个DIMM或四个SO-DIMM，并具有一个额外的输出用于反馈到外部或芯片组PLL。该缓冲器在3.3V电压下工作，输出频率可达133.33MHz。该缓冲器具有低功耗、低EMI和高驱动能力，可用于移动PC系统和台式PC系统。...

2025-10-25 0 39.65KB 5页
IDT IDT2309NZ 数据手册

IDT2309NZ 是低成本缓冲器，设计用于在具有 SDRAM 支持的移动 PC 系统和台式 PC 系统中分布高速时钟。...

2025-10-25 0 39.57KB 5页
IDT IDT2309A 数据手册

IDT2309A是一款3.3V零延迟时钟缓冲器，用于高频时钟分布应用。该器件具有10MHz至133MHz的工作频率，可以将一个时钟输入分布到一个包含五个输出和一个包含四个输出的输出阵列中，每个输出阵列都有单独的使能信号，输出偏斜度小于250ps，抖动小于200ps，可选标准驱动（IDT2309A-1）和高驱动（IDT2309A-1H）两种版本，无需外部RC网络，工作电压为3.3V，采用SOIC和TSSOP封装...

2025-10-25 0 53.96KB 8页
Integrated Device Technology IDT 79R3081,79R3081E IDT 79RV3081,79RV3081E 数据手册

该文件是关于IDT79R3081 RISController产品的介绍，介绍了产品的特点特性，包括指令集、集成度等...

2025-10-25 0 557.05KB 41页
IDT IDT2305 数据手册

IDT2305是IDT公司的一款高精度时钟缓冲器，支持10MHz到133MHz的频率，支持5个输出端口，具有零延迟输出，输出时钟的抖动小于200ps...

2025-10-25 0 130.61KB 10页
IDT IDT238 数据手册

IDT2308是3.3V零延迟时钟倍增器，可用于频率范围为10MHz至133MHz的应用。IDT2308分配一个时钟输入到两个四输出阵列，并为每个输出阵列提供独立的输出使能。外部反馈(FBK)引脚用于同步输出到时钟输入。输出偏斜小于200ps，周期间抖动小于200ps。IDT2308提供了1x、2x、4x输出选项，可根据需要选择。IDT2308不需要外部RC网络，工作电压为3.3V，可选的TSSOP和SOIC封装。...

2025-10-25 0 142.9KB 13页
IXYS IXFK 34N80/IXFX 34N80 数据手册

该文档为IXFX品牌PLUS 247TM型号的N-Channel Power MOSFET的规格书。...

2025-10-25 0 46KB 2页
IXYS IXFK33N50/IXFK35N50 数据手册

IXFK33N50 / IXFK35N50 MOSFET 是 IXYS 公司生产的一款高性能功率器件，它采用国际标准封装，具有低RDS(on)、高功率密度、易于安装等特点。...

2025-10-25 0 37.81KB 2页
IXYS IXFK 24N120Q2/IXFX 24N120Q2 数据手册

该文件介绍了IXYS公司于2004年生产的HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括低门极电阻、国际标准封装、UL 94 V-0级阻燃等。此外，该产品具有耐冲击能量和电流、快速内部整流器等优点。...

2025-10-25 0 536.83KB 2页
IXYS IXFK 24N90Q/IXFX 24N90Q 数据手册

PLUS 247TM是一款单MOSFET晶圆，具有低Qg、低trr、高频开关性能。适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式电源等应用。...

2025-10-25 0 84.53KB 2页
IXYS IXFK 26N60Q/IXFX 26N60Q 数据手册

该文件是关于IXFK 26N60Q IX 型号的N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Power MOSFETs的产品手册。主要特点包括低门控电荷、国际标准包装、环氧树脂满足UL 94 V-0、防火分类、低RDS（on）HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器等。...

2025-10-25 0 100.64KB 2页
IXYS IXFK 27N80 IXFK 25N80 IXFN 27N80 IXFN 25N80 数据手册

本文件为IXYS的25N80/27N80 MOSFET的Datasheet，主要介绍了该MOSFET的特点特性，应用场景和优势。...

2025-10-25 0 159.5KB 4页
IXYS IXFH 7 N80/IXFM 7 N80 数据手册

IXFH 7 N80和IXFM 7 N80是IXYS生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高dv/dt、低trr和高功率密度等特点，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、开关电源等应用。...

2025-10-25 0 78.17KB 4页
IXYS IXFH 7N90Q IXFT 7N90Q 数据手册

IXFH 7N90Q是IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低Qg、高dv/dt的特点。...

2025-10-25 0 54.72KB 2页
IXYS IXFH 80N20Q IXFK 80N20Q IXFT 80N20Q 数据手册

该数据表提供了IXYS HiPerFETTM系列N通道增强型雪崩额定功率MOSFET的规格，包括最大电压、最大电流、栅极电荷、开关时间等。...

2025-10-25 0 69.39KB 2页
IXYS IXFX 90N20Q/IXFK 90N20Q 数据手册

该PDF文件是关于IXFX 90N20Q的技术信息，详细介绍了该产品的最大额定值、特征值、特性等信息...

2025-10-25 0 98.94KB 2页
IXYS IXFH8N80 IXFH9N80 数据手册

该文件介绍了新一代12英寸MacBook Pro的功能和特点。新一代MacBook Pro搭载了M1 Max芯片，这款芯片是苹果迄今为止最强大的笔记本电脑芯片。M1 Max芯片采用8颗高性能核心和2颗高能效核心，总计10个核心。M1 Max芯片还配备了32核GPU和16核神经引擎。新一代MacBook Pro还配备了16英寸Liquid Retina XDR显示屏，这款显示屏具有1000尼特的峰值亮度和1600万像素的像素密度。新一代MacBook Pro还配备了1080p FaceTime H...

2025-10-25 0 203.33KB 4页

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