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ST L4974A June 2000 3.5A SWITCHING REGULATOR 数据手册

L4974A是一款3.5A开关型稳压器，具有5.1V至40V的输出电压范围，0至90%的占空比范围，内部前馈线路调节，内部电流限制，精确的5.1V ± 2%芯片上参考电压，复位和电源故障功能，输入/输出同步引脚，欠压锁定和滞后开启，单脉冲每周期的PWM锁存器，非常高的效率，高达200KHz的开关频率，热关断，连续模式操作。...

2025-10-24 0 330.01KB 22页
AMD FUJITSU SPANSION Am29LV128MH/L 数据手册

Am29LV128MH/L是AMD公司生产的一种128M字节的闪存芯片，它的特点是单电源供电，3伏即可读写擦除，并且具有统一扇区、易编程的特性。...

2025-10-24 0 602.53KB 66页
TOKO KV1400 数据手册

该文件介绍了TOKO公司于2000年1月发布的KV1400可变电容二极管的特点和特性，包括优秀的线性度、大的电容比率、小封装、在胶带/卷上的电容偏差等。...

2025-10-24 0 34.47KB 4页
SAMSUNG Electronics KS88C4616/C4632/P4632 数据手册

该文件介绍了韩国三星电子有限公司推出的KS88C4616/C4632系列单片8位CMOS微控制器的特点和特性。该系列微控制器具有快速高效的CPU、多种集成外设和可编程ROM等特点。...

2025-10-24 0 249.74KB 34页
ITT Cannon KPT/KPSE CONNECTORS 数据手册

KPT/KPSE 圆形连接器...

2025-10-24 0 329.17KB 31页
SAMSUNG KM416C4000C,KM416C4100C CMOS DRAM 数据手册

KM416C4000C 和 KM416C4100C 是两个 CMOS DRAM 芯片，它们都是 4Mx16 位 Fast Page Mode DRAM，具有高速随机访问内存单元的能力。它们的刷新周期（4K Ref. 或 8K Ref.）和访问时间（-5 或 -6）都是可选的，并且它们都具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。这些芯片使用 Samsung 的先进 CMOS 工艺制造，实现了高带宽、低功耗和高可靠性。...

2025-10-24 0 600.69KB 35页
FAIRCHILD KA78LXXA/KA78L05AA 3-Terminal 0.1A Positive Voltage Regulator 数据手册

KA78LXXA/KA78L05AA是一款3端子0.1A正压稳压器，输出电压为5V、6V、8V、9V、10V、12V、15V、18V和24V，最大输出电流为100mA，具有热过载保护和短路电流限制功能...

2025-10-24 0 83.58KB 18页
FAIRCHILD KA78XXE/KA78XXAE 3-Terminal 1A Positive Voltage Regulator 数据手册

KA78XXE/KA78XXAE系列三端稳压器具有5,6,8,9,12,15,18,24V多种输出电压，最大输出电流可达1A，具备过温保护、短路保护等功能。...

2025-10-24 0 256.18KB 26页
SAMSUNG K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 数据手册

K4S641633H是三星生产的一种移动内存芯片，它采用同步设计，可提供精确的时钟控制，并且支持范围广泛的操作频率、可编程突发长度和可编程延迟。它可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。...

2025-10-24 0 110.77KB 12页
SAMSUNG Electronics DDR SDRAM Specification Version 1.0 数据手册(1)

该文档是一份DDR SDRAM DDR SDRAM规范的版本历史记录，介绍了该产品的不同版本和修订内容。...

2025-10-24 0 457.89KB 54页
International Rectifier IRFG110/JANTX2N7334/JANTXV2N7334 数据手册

该数据表为 PD - 90396G HEXFET® MOSFET 的绝对最大额定值，包括连续漏极电流、脉冲漏极电流、最大功率耗散、线性降额因子、栅极-源极电压、单脉冲雪崩能量、雪崩电流、重复雪崩能量、峰值二极管恢复dv/dt、工作结温、存储温度范围、引线温度、重量等参数。...

2025-10-24 0 220.01KB 7页
IXYS IXTK 74 N20/IXTH 68 N20 数据手册

该文件描述了某个产品的特点和特性。...

2025-10-24 0 316.24KB 2页
IXYS IXFK/IXFN 44 N50,IXFK/IXFN 48 N50 数据手册

IXFK/IXFN系列是IXYS公司的一款N沟道增强型雪崩额定，高dv/dt，低trr功率MOSFET。该产品具有国际标准封装，UL 94 V-0 阻燃等级，SOT-227B miniBLOC铝氮化物绝缘，低RDS(on) HDMOSTM工艺，无钳位感性开关(UIS)额定，快速固有整流器等特点。可应用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器、温度和照明控制等场合。...

2025-10-24 0 107.77KB 4页
intersil ISL83080E,ISL83082E,ISL83083E,ISL83085E,ISL83086E,ISL83088E 数据手册

ISL8308XE是BiCMOS，ESD保护，5V供电，单个收发器，符合RS-485和RS-422标准，用于平衡通信。每个驱动器输出和接收器输入都受到±15kV ESD击穿保护，不发生锁存。与竞争对手的产品不同，Intersil系列产品针对10%的容差电源（4.5V至5.5V）进行了规范。这些器件具有非常低的总线电流（+125µA/-75µA），因此它们向RS-485总线呈现出真正的“1/8单元负载”。这允许在网络上最多连接256个收发器，而不违反RS-485规范的32单元负载最大值，并且不需要...

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intersil ISL6523A 数据手册

ISL6523A是ISL公司生产的一款电源控制器芯片，该芯片集成了两个PWM控制器和两个线性控制器，以及监控和保护功能，主要用于高性能微处理器和计算机应用中。ISL6523A可以为四路输出电压提供电源控制和保护，其中一个PWM控制器通过同步整流降压转换器来调节微处理器核心电压，第二个PWM控制器通过标准降压转换器来为计算机系统的AGTL+ 1.2V总线供电，线性控制器则用于调节1.5V AGP总线和1.8V的芯片组核心电压和/或缓存存储电路的电源。ISL6523A还包括一个兼容英特尔VRM8.5...

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SEME LAB IP1R17A/IP3R17A/IP1R17A/IP3R17A 数据手册

该文档介绍了Semelab公司的IP1R17A和IP3R17A型号的固定负电压稳压器的特点和特性，包括线性调节、负载调节、输出精度等特性。...

2025-10-24 0 33.67KB 4页
IDT RC64474/RC64475 数据手册

该文档介绍了IDT公司的产品特点和特性，包括高性能64位微处理器、单双精度浮点运算单元、高速缓存、灵活的总线接口等。...

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IDT IDT7401/2/3/4 数据手册

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IDT IDT72261LA/IDT72271LA 数据手册

该文件介绍了IDT72261LA和IDT72271LA两款CMOS SuperSync FIFO的特点和特性，包括内存组织、读写周期时间、数据延迟时间、低功耗模式、复位功能、数据状态标志等。...

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IDT IDT71V3577S/IDT71V3579S/IDT71V3577SA/IDT71V3579SA 数据手册

IDT71V3577/79 是高性能 SRAM ，组织为 128K x 36/256K x 18。IDT71V3577/79 SRAM 包含写入、数据、地址和控制寄存器。数据输出路径中没有寄存器（流式架构）。内部逻辑允许 SRAM 根据一个可以延迟到写入周期结束的决策生成自定时写入。突发模式功能为系统设计人员提供了最高的性能水平，因为 IDT71V3577/79 可以为向 SRAM 提供的单个地址提供四个数据周期。内部突发地址计数器在突发模式下跟踪地址，以便在突发期间将数据提供给系统。...

2025-10-24 0 524.95KB 22页

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