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说明书手册

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ST BTA10 B/C BTB10 B/C 数据手册

BTA10 B/C BTB10 B/C 是意法半导体公司生产的高性能玻璃钝化PNPN晶体管，适用于需要高浪涌电流能力的一般用途应用，如相位控制和在感性或电阻负载上进行静态开关。...

2025-10-26 0 62.65KB 5页
ST BTA/BTB10 Series 数据手册

BTA/BTB10系列是一种适用于一般交流开关的可靠设备。它们可用于静态继电器、加热调节、感应电动机启动电路等应用的开关功能，也可用于灯光调光器、电机调速器等应用的相位控制操作。鉴于其高阻尼性能，推荐使用带有snubberless后缀的版本在感性负载上使用。BTA系列通过使用内部陶瓷垫提供带电压绝缘的引脚（额定电压为2500 V RMS），符合UL标准。...

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SIEMENS BAT 14-03W 数据手册

BAT 14-03W 是 BAT 公司的硅肖特基二极管，额定反向电压为 4 V，额定正向电流为 90 mA，工作温度范围为 -55 到 125 摄氏度，存储温度范围为 -55 到 150 摄氏度，最大功耗为 100 mW。...

2025-10-26 0 38.23KB 4页
SIEMENS BAT 14- … S 数据手册

The BAT 14- series are silicon Schottky diodes with a breakdown voltage of 4V and a forward current of 100 mA. They are available in SMD packages with a pointed cathode....

2025-10-26 0 19.31KB 2页
SIEMENS HiRel Silicon Schottky Diode BAT 14 数据手册

BAT 14-013是德州仪器公司生产的一种半导体器件，它是一种高性能的硅肖特基二极管，具有中等的势垒和良好的线性度。该器件适用于探测器和混频器应用。它采用了一种密封的微波封装，可以承受高温和高湿度。...

2025-10-26 1 79.02KB 7页
PHILIPS BAT140 series Schottky barrier double diodes 数据手册(1)

本文件为BAT140系列肖特基二极管的产品手册，介绍了该系列产品的特点特性，包括低切换损耗、能够吸收极高浪涌电流、快速恢复时间、塑料SMD封装等。适用于低功率开关电源、整流、极性保护等应用。...

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PHILIPS BAT120 series Schottky barrier double diodes 数据手册

BAT120系列肖特基二极管具有低开关损耗、吸收很高的浪涌电流、快速恢复时间、带有保护环的塑料SMD封装等特点，可应用于低功率开关电源、整流、极性保护等场合。...

2025-10-26 1 70.82KB 8页
SIEMENS BAT 114-099R 数据手册

BAT 114-099R 是半导体公司生产的一种硅肖特基二极管，其最大额定值为 IF = 90 mA，工作温度范围为 -55 至 +150 °C，存储温度范围为 -55 至 +150 °C，功耗为 100 mW。该二极管具有高阻断电压，适用于双平衡混频器、相位检测器和调制器。...

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SIEMENS BAT 114-099 数据手册

本文介绍了一种半导体器件——双Schottky二极管BAT 114-099。该器件具有高障碍二极管特性，适用于平衡混频器、相位检测器和调制器等应用。...

2025-10-26 1 49KB 3页
DIODES BAT1000 数据手册

BAT1000是1A的表面贴装肖特基二极管，其特点是低压降和高导电性，适用于DC-DC转换器、PCMCIA和移动通信应用中。...

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Infineon BAT 68W 数据手册

该文档介绍了BAT 68W硅肖特基二极管的特点和特性，主要用于VHF / UHF范围的混频器应用和高速开关应用。...

2025-10-26 1 98.15KB 5页
Infineon BAT 68-08S 数据手册

BAT 68-08S是一种硅肖特基二极管阵列，适用于VHF / UHF范围内的混频器应用和高速开关应用。它具有8V的击穿电压，最大130mA的正向电流，最大150℃的结温，以及10Ω的正向电阻。...

2025-10-26 1 83.1KB 4页
Infineon BAT 68 数据手册

本文介绍了BAT 68系列硅肖特基二极管的特点和特性，主要应用于VHF / UHF范围的混频器和高速开关应用。...

2025-10-26 1 83.7KB 4页
Infineon BAT 66-05 数据手册

BAT 66-05 是 BAT 公司的一款肖特基二极管，它的最大反向电压为 40 V，最大正向电流为 2 A，最大功率耗散为 1.2 W。BAT 66-05 的封装类型为 SOT-223，可以应用于低损耗、快速恢复整流、电表保护、偏置隔离和钳位等场合。...

2025-10-26 1 74.42KB 3页
Infineon BAT 64-07 数据手册

BAT 64-07是BAT公司的一款肖特基二极管，它具有低损耗、快速恢复、电表保护、偏置隔离和钳位应用等特点，其反向电压为40V，平均正向电流为120mA，浪涌正向电流为800mA，总功耗为250mW，结温为150°C，存储温度为-55~150°C。...

2025-10-26 1 75.63KB 3页
Infineon BAT 64 数据手册

BAT 64系列是一系列硅肖特基二极管，用于低损耗、快速恢复、电表保护、偏置隔离和钳位应用。这些二极管具有集成的扩散保护环和低正向电压。...

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Infineon BAT 63-07W 数据手册

BAT 63-07W 是一款硅肖特基二极管，其最大反向电压为 3 V，最大正向电流为 100 mA。该二极管适用于高频检测应用和高速度开关应用。...

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ST BTA 08 AW 数据手册

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2025-10-26 2 185.63KB 4页
Infineon BAT 62-08S 数据手册

本文档介绍了具有低阻抗的二极管，适用于高达GHz频率的探测器。该产品具有40V的反向电压和2mA的正向电流。此外，文档还提供了器件的引脚配置和封装信息。...

2025-10-26 2 49.54KB 4页
Infineon BAT 62-07W 数据手册

该文件介绍了BAT 62-07W硅肖特基二极管的特点和特性，包括低阻障二极管适用于高达GHz频率的探测器，最大允许工作温度和最大电压等。...

2025-10-26 2 97.81KB 4页

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