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说明书手册

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TEXAS INSTRUMENTS SN74ALVCH162373 数据手册

这是SN74ALVCH162373 16位透明D型锁存器的功能描述和订购信息。它适用于实现缓冲寄存器、I/O端口、双向总线驱动器和工作寄存器。...

2025-10-25 0 199.88KB 10页
TEXAS INSTRUMENTS SN74ALVC04 数据手册

该数据手册详细介绍了SN74ALVC04 HEX INVERTER的特性，包括工作电压、输出驱动电流、封装形式等。...

2025-10-25 0 322.11KB 12页
TEXAS INSTRUMENTS SN54AHCT245, SN74AHCT245 数据手册

该数据手册详细介绍了SN54AHCT245和SN74AHCT245八通道总线收发器的特性和规格。这两款器件都是异步的双向数据总线收发器，可实现A总线到B总线或B总线到A总线的数据传输。...

2025-10-25 0 698.92KB 20页
TEXAS INSTRUMENTS SN54AHCT123A, SN74AHCT123A 数据手册

SN54AHCT123A和SN74AHCT123A是双向可重触发单稳态多谐振器，具有TTL兼容输入、A、B和CLR输入上的施密特触发电路以实现慢速输入转换率、从活动高或活动低门控逻辑输入边缘触发、可重新触发以实现非常长的输出脉冲以及覆盖清除终止输出脉冲。...

2025-10-25 0 544.39KB 21页
ASI MLN1030SS 数据手册

该文档介绍了ASI MLN1030SS型号的特点和特性，包括最小值、最大值和典型值等参数。...

2025-10-25 0 12.04KB 1页
ASI MLN1033F 数据手册

这是一款由ASI公司生产的MLN1033F型NPN硅RF功率晶体管，其特点是具有最高20.6W的功率耗散和12dB的增益，并且采用了Omnigold™金属化系统，具有良好的散热性能。...

2025-10-25 0 12.48KB 1页
TEXAS INSTRUMENTS SN54AHCT04, SN74AHCT04 数据手册

SN54AHCT04, SN74AHCT04 HEX INVERTERS 是德州仪器生产的六个独立的反相器。它们执行布尔函数Y = A。...

2025-10-25 0 601.19KB 17页
ASI MLN1033S 数据手册

该文件介绍了ASI MLN1033S型号的特点和特性。...

2025-10-25 0 13.18KB 1页
ASI MLN1037F 数据手册

ASI MLN1037F是Advanced Semiconductor, Inc.生产的一款NPN硅射频功率晶体管。它具有Omnigold™金属化系统，额定电流为10 A，电压为60 V和35 V，最大功耗为140 W。...

2025-10-25 1 12.82KB 1页
GENERAL SEMICONDUCTOR SMZG AND SMZJ 3789 THRU 3809B 数据手册

该数据表格列出了SMZG3789A,B,SMZJ3789A,B,WA,B型号二极管的最大电气特性。...

2025-10-25 1 45.91KB 2页
ASI MLN2027SS 数据手册

该数据表是关于ASI MLN2027SS的规格参数，包含额定值、特性、最大值、封装尺寸等信息。...

2025-10-25 1 12.05KB 1页
ASI MLN2030F 数据手册

该文件是关于ASI MLN2030F的技术规格说明，包括最大最小工作电压、功率、电流等信息。...

2025-10-25 1 12.73KB 1页
ST SMP50-xxx 数据手册

SMP50-xxx系列是一种双向防护电流限制器，适用于保护电信设备免受由交流电源线引起的雷击和瞬态干扰。其特点包括电压范围从62V到270V，低电容从15pF到30pF（在50V时），低漏电流（最大IR = 2µA），保持电流（最小IH = 150mA）和重复峰值脉冲电流（IPP = 50A）。...

2025-10-25 1 60.57KB 8页
ASI MLN2030SS 数据手册

该文档介绍了Advanced Semiconductor Inc.的MLN2030SS型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和参数。...

2025-10-25 1 12.02KB 1页
ASI OSC-0.7L 数据手册

ASI OSC-0.7L is a NPN silicon RF power transistor with a maximum power dissipation of 7.0 W and a maximum collector-emitter voltage of 40 V. It features an Omnigold™ metalization system and is available in a TO-46 package....

2025-10-25 1 12.16KB 1页
ASI OSC-1.3SH 数据手册

该文档介绍了一种NPN硅射频功率晶体管，具有低噪声、高电流和高频率特性。该晶体管适用于射频功率放大器等应用。...

2025-10-25 1 12.93KB 1页
ASI OSC-2.0SM NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

本文件是关于ASI10639的规格书，主要介绍了产品的特性、特点、参数等信息。...

2025-10-25 1 12.91KB 1页
ASI TVU0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

这是一份关于ASI TVU0.5A NPN硅射频功率晶体管的规格说明书。该晶体管具有BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、PG IMD1等特性参数，并且采用了Omnigold™ Metalization System。该晶体管适用于射频功率放大器等应用。...

2025-10-25 1 13.05KB 1页
ASI TVU0.5B NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI TVU0.5B是NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统、最大电流2.0 A、最大电压45 V、最大功率31.8 W...

2025-10-25 1 11.84KB 1页
ASI TVU002 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该文件介绍了ASI TVU002型号的特点和特性，包括最小、典型和最大值的参数，如电流、电压、功耗等。...

2025-10-25 1 13.27KB 1页

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