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FUJI Electril 2SK1185 数据手册
该文件描述了产品的绝对最大额定值和电气特性，包括VDS、ID、VGS、RDS(on)等参数。...
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FUJI Electril 2SK1184 数据手册
2SK1184数据表...
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FUJI Electril 2SK1183 数据手册
2SK1183 N-Channel MOSFET Datasheet...
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FUJI Electril 2SK1179 数据手册
2SK1179是东芝公司的一款N沟道MOSFET，其最大电压为500V，最大电流为8.5A。该器件的导通电阻为0.70~0.85Ω，开关速度较快。...
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FUJI Electril 2SK1178 数据手册
该文件描述了2SK1178型号的MOSFET的绝对最大额定值、电气特性和外部尺寸。...
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FUJI Electril 2SK1177 数据手册
该文档介绍了一款电子产品的绝对最大额定值和电气特性。该产品的型号为2SK1177，品牌未提及。它具有500V的漏极电压和250µA的漏极电流。此外，它还具有2.0-4.0V的阈值电压，30W的功耗等特性。...
2025-10-24
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东芝 2SK117 数据手册
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HITACHI 2SK1169, 2SK1170 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册
2SK1169, 2SK1170是两款高压功率开关型N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。...
2025-10-24
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HITACHI 2SK1167, 2SK1168 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册
该文件介绍了2SK1167和2SK1168硅N沟道MOS FET的应用，其特点包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿，并适用于开关稳压器和DC-DC转换器。...
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HITACHI 2SK1163, 2SK1164 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册
2SK1163, 2SK1164是东芝生产的一种高压大电流N沟道MOSFET器件，适用于开关电源和DC-DC转换器。...
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WIW1012 (3006) Trimmer Potentiometer 数据手册
该文件介绍了一种名为WIW1012的电位器，具有标准电阻范围、调节角度、环境特性等特点。...
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MIMIX CGB7007-SC (-BD) 数据手册
该文档介绍了CGB7007-SC (-BD)的产品特点特性，这是一款达林顿配置的高动态范围、实用增益块放大器。...
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富士 2SK1134 数据手册
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TEXAS INSTRUMENTS SN54ALS652, SN54ALS653, SN54AS651, SN54AS652, SN74ALS651A, SN74ALS652A, SN74ALS653, SN74ALS654, SN74AS651, SN74AS652 数据手册
该文档介绍了SN54ALS652、SN54ALS653、SN54AS651、SN54AS652、SN74ALS651A、SN74ALS652A、SN74ALS653、SN74ALS654、SN74AS651和SN74AS652等多个型号的八路总线收发器和寄存器。这些器件具有独立的寄存器和使能信号，可以实现实时数据和存储数据的多路复用传输。用户可以选择真值路径或反相路径，以及三态输出或开漏输出。该文档还介绍了不同的封装选项。...
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NEC 2SK1133 数据手册
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TEXAS INSTRUMENTS SN54F10, SN74F10 数据手册
该数据表详细介绍了SN54F10、SN74F10这两款三输入正NAND门的特性。它们分别工作于-55°C至125°C和0°C至70°C的温度范围。...
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飞利浦 PDTA144EEF 数据手册
PDTA144EEF是飞利浦半导体公司生产的一款PNP型三极管，内置了R1和R2偏置电阻，可以简化电路设计，减少元器件数量和板卡空间。该产品适用于接口和驱动电路中，可用于无外部电阻的逆变电路配置。...
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NEC 2SK1132 数据手册
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东芝 2SK1120 数据手册
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TEXAS INSTRUMENTS SN54AHCT00, SN74AHCT00 数据手册
SN54AHCT00和SN74AHCT00是四个2输入正逻辑与非门。使用EPIC（Enhanced-Performance Implanted CMOS）工艺，输入兼容TTL电压，具有超过250 mA的锁定电流性能和超过2000 V的ESD保护。提供多种封装选项。...
2025-10-24
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