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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPC8208 数据手册

TPC8208是一款TOSHIBA生产的场效应晶体管，适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。其特点包括小巧的封装、低漏源ON电阻、高正向传递导纳、低漏电流和增强模式等。...

2025-10-24 0 221.31KB 7页
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8206 数据手册

该文件介绍了TPC8206型号的TOSHIBA场效应晶体管，适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。其特点包括小巧的封装、低漏源ON电阻、高前向传导导纳、低泄漏电流和增强模式等。...

2025-10-24 0 218.32KB 7页
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII) TPC8204 数据手册

TPC8204是一种TOSHIBA场效应晶体管，适用于锂离子电池应用和便携设备应用，如笔记本电脑。它具有小巧薄型的封装，低漏源电阻，高正向传输导纳，低泄漏电流等特点。...

2025-10-24 0 335.45KB 7页
东芝 TPC8201 数据手册

TPC8201是TOSHIBA生产的具有低漏电流、高导通电阻和高转移导纳的N沟道MOS管，应用于锂离子电池应用、便携式设备应用和笔记本电脑等产品中。...

2025-10-24 0 336.81KB 7页
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) TPC8114 数据手册

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2025-10-24 0 162.01KB 4页
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPC8110 数据手册

TPC8110 是东芝生产的一款 P 通道 MOS 型 (U-MOS III) 场效应晶体管，主要应用于锂离子电池、笔记本电脑和便携式设备等领域。该晶体管具有小体积、低导通电阻、高传递增益和低漏电流等特点。...

2025-10-24 0 392.09KB 7页
东芝 TPC8108 数据手册

该文档介绍了TPC8108型号的场效应晶体管的特点和应用领域，包括笔记本电脑和便携设备应用。该晶体管具有小尺寸、低电阻、高传递导纳和低泄漏电流等特性。...

2025-10-24 0 335.14KB 7页
东芝 TPC8106-H 数据手册

TPC8106-H 是东芝公司生产的一款高性能、高效率的场效应晶体管，主要应用于锂离子电池、笔记本电脑和便携式设备等场合。该晶体管具有小型化、高速度开关、低栅极电荷、低漏电流、低导通电阻等特点。...

2025-10-24 0 503.11KB 7页
东芝 TPC8105-H 数据手册

TPC8105-H是一款由东芝生产的，P通道MOS类型的场效应晶体管。该晶体管具有小尺寸、高速度开关、小门极电荷、低漏电流、低导通电阻、高正向传递导纳等特点，适用于笔记本电脑和便携式设备等应用。...

2025-10-24 0 465.78KB 7页
东芝 TPC8104-H 数据手册

TPC8104-H是东芝公司生产的一种高性能场效应晶体管，主要应用于锂离子电池和笔记本电脑等设备中。该晶体管具有体积小、高频率开关、低门控电荷、低导通电阻、高前向传递导纳和低漏电流等优点。...

2025-10-24 0 314.65KB 7页
PerkinElmer C30659-900-1060-1550nm Series 数据手册

C30659-900-1060-1550nm系列是PerkinElmer旗下的一款Si或InGaAs APD前置放大器模块，带有单片12引脚TO-8封装。该设备采用C30817E、C30902E、C30954E、C30956E、C30645E和C30662E雪崩光电二极管，可在830到1550纳米之间提供很好的响应，并且在所有波长下具有非常快速的上升和下降时间。前置放大器采用GaAs FET前端，具有超低噪声，可在比标准C30950系列更高的转换阻抗下工作。...

2025-10-24 0 1.21MB 9页
东芝 TPC8102 数据手册

TPC8102是东芝生产的一种P型MOSFET，其特点是体积小、功耗低、漏电流小，适用于笔记本电脑和便携式设备等应用。...

2025-10-24 0 462.13KB 7页
东芝 TPC8014-H 数据手册

该文档介绍了TPC8014型号的TOSHIBA场效应晶体管（U-MOS III），该晶体管适用于锂离子电池应用、便携设备应用和笔记本电脑应用。它具有小巧的封装、低漏源电阻、高前向传导导纳和低泄漏电流等特点。...

2025-10-24 1 206.39KB 7页
HAMAMATSU C2955 数据手册

该产品是光学内窥镜，通过红外光源可以穿透硅基板，观察到IC内的连接线、布线状态、芯片与底座的连接情况和扩散区情况，无需损坏被观察部件...

2025-10-24 1 68.25KB 2页
Nihon Inter C20T04Q 数据手册

该数据表格为C20T04Q 肖特基二极管的产品信息，包括最大额定值、电气特性、热特性、外形尺寸等...

2025-10-24 1 54.41KB 6页
东芝 TPC8003 数据手册

TPC8003是东芝生产的一款N沟道MOSFET，具有小巧的外形和低的导通电阻，适用于锂离子电池、便携式设备和笔记本电脑等应用。...

2025-10-24 1 492.21KB 7页
VISHAY BZX84-V Sereis 数据手册

该产品是一款BZX84-V系列的小信号齐纳二极管，它符合RoHS和WEEE标准，具有铅（Pb）无铅成分，封装方式为SOT-23，重量约为8.8毫克。...

2025-10-24 1 457.29KB 11页
东芝 TPC6501 数据手册

TPC6501是东芝的一种高性能晶体管，其特点是高电流增益和低饱和电压。它适用于高频开关应用、DC-DC转换器应用和闪光灯应用。...

2025-10-24 1 168.7KB 5页
东芝TPC6201 数据手册

TPC6201是东芝生产的一款N沟道场效应晶体管，主要应用于HDD电机驱动、笔记本电脑和便携式设备等产品...

2025-10-24 1 153.49KB 6页
东芝 TPC6108 数据手册

TPC6108是东芝生产的一款P通道MOS型场效应晶体管，它具有小尺寸、低电阻、高转移增益和低漏电流等特点，可应用于笔记本电脑和便携设备等领域。...

2025-10-24 1 60.94KB 4页

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